ЕЕПРОМ

С Википедије, слободне енциклопедије

EEPROM (често написано као Е2ПРОМ, које се изговара „е-е пром“, „двостуко е-пром“ , „е-квадрат“ или једноставно „е-пром“) је скраћеница за Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory и представља врсту сталне меморије која се користи у рачунарима и другим електронским уређајима за складиштење малих количина података који се морају сачувати када нестане напона, нпр. табела калибрације или конфигурација уређаја.

За разлику од бајтова у већини других типова сталне меморије, индивидуални бајтови у традиционалној ЕЕПРОМ меморији могу бити независно прочитани, обрисани, поново уписани.

Када веће количине статистичких података треба да се чувају (као што је у УСБ фласх дисковима) специфична врста ЕЕПРОМ, као што су фласх меморије, је економичнија од традиционалних ЕЕПРОМ уређаја. ЕЕПРОМ меморије се реализују као низови флоатинг-гате транзистора.

ЕПРОМ обично морају бити уклоњени из уређаја за брисање и програмирање, док се ЕЕПРОМ могу програмирати и брисати у колу, применом посебних програмских сигнала. Првобитно, ЕЕПРОМ меморије су биле ограничене на једнобајтним операцијама, које су их направиле споријим, али модерни ЕЕПРОМ омогућавају мултибајт операције.Оне, такође, имају ограничени век, тј. репрограмирање је било ограничено на десетине или стотине хиљаде пута. То ограничење је продужено на милион пута у савременим ЕЕПРОМ. У ЕЕПРОМ која се стално репрограмира док је рачунар у употреби, живот ЕЕПРОМ мора бити пажљиво размотрен од стране дизајнера. Због овог разлога ЕЕПРОМ је коришћена за чување конфигурационих информација, а ређе као РАМ.

Историја[уреди | уреди извор]

1978. године, Георге Перлегос, на департману Интел а развио Интел 2816, који је заснован на ранијој ЕПРОМ технологији, али сада се користи капија од танког слоја оксида тако да чип може избрисати своје битове без употребе УВ светлости. Перлегос и други су касније напустили Интел и формирали Сееq технологију која користи на уређају пумпу за пуњење за снабдевање високог напона за програмирање ЕЕПРОМ.[1]

ЕЕПРОМ функције[уреди | уреди извор]

Постоје различите врсте електичних интерфејса у ЕЕПРОМ уређајима. Главне категорије ових типова интерфејса су:

Како ће уређај радити зависи од електричног интерфејса.

Серијски бус уређаји[уреди | уреди извор]

Најчешћи типови су серијски интерфејс СПИ, И²Ц, Мицроwире, УНИ/О и 1-Wире. Ови интерфејси захтевају између једног и четири контолних сигнала за рад, што доводи до осмо-пинских меморијских уређаја (или мање) пакета.

Серијски ЕЕПРОМ (или СЕЕПРОМ) обично ради у три фазе: ОП-Цоде фаза, Аддресс фаза и Дата фаза. ОП-ЦОДЕ је обично први осмобитни улаз на пин уређаја ЕЕПРОМ (или са највише И²Ц уређаја, је имплицитно), затим 8-24 бита адресирања у зависности од дубине уређаја, затим подаци који се читају или писани подаци.

Сваки ЕЕПРОМ уређај обично има ОП-Цоде инструкције које мапирају различите функције. Неке од уобичајених операција на СПИ ЕЕПРОМ уређајима су:

  • Wрите Енабле (писање укључено) (WРЕНАЛ)
  • Wрите Дисабле (писање искључено) (WРДИ)
  • Реад Статус Регистер (прочитај статусни регистар) (РДСР)
  • Wрите Статус Регистер (упиши статусни регистар) (WРСР)
  • Реад Дата (прочитај податке) (РЕАД)
  • Wрите Дата (упиши податке) (WРИТЕ)

Друге операције подржане од стране неких ЕЕПРОМ уређаја су:

  • Програм
  • Сецтор Ерасе (брисање сектора)
  • Цхип Ерасе цоммандс (брисање чип команди)

Паралелни бус уређаји[уреди | уреди извор]

Паралелни ЕЕПРОМ уређаји обично имају 8-битне магистрале за податке и адресе довољне да покрију комплетну меморију. Већина уређаја има чип, изаберете и напишете заштитни пин. Неки микроконтролери такође су интегрисали паралелни ЕЕПРОМ.

Рад паралелне ЕЕПРОМ је једноставан и брз у осносу на серијски ЕЕПРОМ, али ови уређаји су већи због више пинова (28 пинова или више) и зато су мање популарни од серијске ЕЕПРОМ или Фласх меморије.

Остали уређаји[уреди | уреди извор]

ЕЕПРОМ меморија се користи да омогући функције у другим врстама производа који нису стриктно меморијски производи. Производи као што су реал-тиме сатови, дигитални потенциометри, дигитални сензори температуре, између осталог, могу имати мале количине ЕЕПРОМ за сладиштење информација или других података који треба да буду доступни у случају губитна напајања. Такође је коришћен на видео играма, да сачувате напредак и конфигурацију у игри, пре употребе спољних и унутрашњих фласх меморија.

Модови отказа[уреди | уреди извор]

Постоје два ограничења ускладиштене информације: издржљивост као и задржавање података.

Током поновног уписивања, оксидна капија у флоатинг-гате транзисторима постепено акумулира ухваћене електроне. Електрично поље ухваћених електрона додаје електроне у пливајућу капију,спуштајући прозор између прага напона за нуле или јединице. После довољног броја циклуса поновног уписивања, разлика постаје веома мала да би могла бити препозната,ћелија се заглављује у стање програмирања, и јавља се неуспех издржљивости. Произвођачи обично наводе максимални број поновног уписивања, што је 1 милион или више [2]

Током складиштења, убризгавање електрона у пливајуће капије може се занети кроз изолатор, нарочито при повишеној температури, и изазвати губитак пуњења, што значи пребацивање ћелије у обрисано стање. Произвођачи обично гарантују постојаност података 10 година или више[3]

Слични типови[уреди | уреди извор]

Фласх меморија је каснији облик ЕЕПРОМ-а. У индустрији, постоји конвенција да се садржи термин ЕЕПРОМ за бyте-wисе избрисљиву меморију у поређењу са блоцк-wисе избрисљиво фласх меморијом. ЕЕПРОМ заузима више простора од фласх меморије за исти капацитет због тога што свака ћелија обично треба транзистор за читање,писање и брисање, док у фласх меморији кола која се бришу су подељена великим блоковима ћелија (обично 512×8).

Новије сталне меморијске технологије као што је ФеРАМ и МРАМ полако замењују ЕЕПРОМ у неким апликацијама, али очекује се да ће остати мало ЕЕПРОМ на тржишту у догледној будућности.

Поређење са ЕПРОМ и ЕЕПРОМ/Фласх[уреди | уреди извор]

Разлика између ЕПРОМ и ЕЕПРОМ лежи у начину програмирања и брисања. ЕЕПРОМ може бити програмирана и обрисана електрично коришћењем фиелд елецтрон емисион(у индустрији познатије као "Фоwлер–Нордхеим туннелинг").

ЕПРОМ не може бити избрисана електрично, и прогрмаиране су са хот царриер ињецтион на пливајућу капију. Брисање је помоћу УВ светлости, иако су у пракси многе ЕПРОМ упаковане у пластику која их чини непрозирном за УВ светлост, и чинећи их тако да буду једном прогрмаиране.

ЕЕПРОМ произвођачи[уреди | уреди извор]

Референце[уреди | уреди извор]

  1. ^ Росткy, Георге (2. 7. 2002). „Ремемберинг тхе ПРОМ книгхтс оф Интел”. ЕЕ Тимес. Архивирано из оригинала 29. 09. 2007. г. Приступљено 8. 2. 2007. 
  2. ^ Фреqуентлy Аскед Qуестионс |РОХМ Семицондуцтор
  3. ^ Сyстем Интегратион - Фром Трансистор Десигн то Ларге Сцале Интегратед Цирцуитс