ТТРАМ

Из Википедије, слободне енциклопедије
Emblem-important-yellow.svg Ова страница би требало да спада у једну или више категорија.
Молимо вас да је категоришете како би могла да се повеже са сличним страницама.
Уклоните ову поруку након категоризације странице.

Меморија са случајним приступом са два транзисторa (ТТРАМ) је нови (2005) тип рачунарске меморије коју развија фирма Ренесас.

ТТРАМ је сличан обичној ДРАМ меморији са једним транзистором и кондензатором по концепту, али елиминише кондензатор тако што се ослања на СОИ процес производње. Овај ефекат ствара капацитет између транзистора и подлоге, на шта се раније гледало као на сметњу. Пошто је транзистор направљен помоћу СОИ технологије нешто мањи од кондензатора, ТТРАМ нуди веће густине од обичног ДРАМа. ТТРАМ је у теорији јефтинији зато што је густина повезана са ценом. Али захтев да се ова меморија прави на СИО фабричким линијама, чини да цена буде непредвидива.

У ТТРАМ меморијској ћелији, два транзистора су повезана на СИО субстрат. Први је приступни транзистор, док је други транзистор за складиштење и извршава исту функцију као и кондензатор у нормалној ДРАМ ћелији. Писање и читање података се врши према проводљивом стању приступног транзистора и стању плутајућег тела транзистора за складиштење. Чињеница да ТТРАМ меморијска ћелија не захтева степ-ап напон или негативан напон, као што ДРАМ захтева, чини нови дизајн ћелија одговарајућим за коришћење у будућим процесорима на нижим радним напонима.

Са Ренесас ТТРАМ меморијом, сигнал за читање се појављује као разлика у транзисторској струји. Сензор типа струја-огледало детектује ову разлику великом брзином, користећи референтну меморијску ћелију која омогућава поуздану идентификацију нуле или јединице. Овај метод читања значајно смањује потрошњу енергије елиминацијом пуњења и пражњења линије за битове и операција потребних за читање ДРАМ ћелија.

Слична технологија је З-РАМ, која користи само један транзистор и зато има већу густину и од ТТРАМ. Као и ТТРАМ, З-РАМ се ослања на ефекат плутајућег тела на СОИ, и има сличан процес производње. З-РАМ је такође и бржи, брз је као СРАМ који се користи као кеш, што га чини интересантним за ЦПЈ, који се већ прави на СОИ линијама.

ТТРАМ не би требало мешати са ТТ-РАМ, што је Атаријево име за специјално место за ДРАМ у Атари ТТ030 личним рачунарима.

Спољашње везе[уреди]