Дупла хетероструктура
Дупла хетероструктура је структура коју формирају полупроводнички материјали нарастањем у три слоја - „сендвич“. Један од материјала (као што је AlGaAs) се користи за спољне слојеве (или облоге), док се други са мањим енергетским процепом (као што је GaAs) користи за унутрашњи међу-слој. На пример, структура формирана од два полупроводничка материјала AlGaAs и GaAs нараслих на на свакој од страна унутрашњег међу-слоја.
Захтева се да структура има два гранична слоја да би била хетероструктура. Ако спој постоји само на једној страни материјала, структура ће бити једноставна хетероструктура, односно спој (пример ПН спој).
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/5/5f/NiveauxdEnergiesPuitsQuantique.jpg/220px-NiveauxdEnergiesPuitsQuantique.jpg)
Дупла хетероструктура је веома примењивана у оптоелектронским уређаима и направама, а има и занимљивих електронских својстава. Ако је један од слојева облога п-допиран, други слој н-допиран, а полупроводнички материјал са мањим енергетским процепом није допиран, онда се формира пинскика (PiN) структура. Када се на крајеве ове структуре доведе напон, долази до формирања струја, па се електрони и шупљине убризгавају (инјектују) у хетероструктуру. Матријали са мањим енергетским процепом формирају дисконтинуитет енергија на спојевима и тиме ограничавају (конфинирају) кретање електрона и шупљина, задржавајући их у делу са мањим енергетским процепом. Електрони и шупљине се рекомбинују емитујући фотоне. Ако је ширина енергетског процепа сведен на ред величине де Брољеве таласне дужине, онда у овој структури играју улогу квантни ефекти. Спектар енергија је дискретан уместо континуалан (енергетски нивои су врло близу један другом, тако да се ипак може сматрати да су квази-континуирано распоређени). Ова структура у оваквој форми је врло значајна и за експериментална испитивања јер игра улогу квантне јаме.