Dupla heterostruktura
Dupla heterostruktura je struktura koju formiraju poluprovodnički materijali narastanjem u tri sloja - „sendvič“. Jedan od materijala (kao što je AlGaAs) se koristi za spoljne slojeve (ili obloge), dok se drugi sa manjim energetskim procepom (kao što je GaAs) koristi za unutrašnji među-sloj. Na primer, struktura formirana od dva poluprovodnička materijala AlGaAs i GaAs naraslih na na svakoj od strana unutrašnjeg među-sloja.
Zahteva se da struktura ima dva granična sloja da bi bila heterostruktura. Ako spoj postoji samo na jednoj strani materijala, struktura će biti jednostavna heterostruktura, odnosno spoj (primer PN spoj).
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/5/5f/NiveauxdEnergiesPuitsQuantique.jpg/220px-NiveauxdEnergiesPuitsQuantique.jpg)
Dupla heterostruktura je veoma primenjivana u optoelektronskim uređaima i napravama, a ima i zanimljivih elektronskih svojstava. Ako je jedan od slojeva obloga p-dopiran, drugi sloj n-dopiran, a poluprovodnički materijal sa manjim energetskim procepom nije dopiran, onda se formira pinskika (PiN) struktura. Kada se na krajeve ove strukture dovede napon, dolazi do formiranja struja, pa se elektroni i šupljine ubrizgavaju (injektuju) u heterostrukturu. Matrijali sa manjim energetskim procepom formiraju diskontinuitet energija na spojevima i time ograničavaju (konfiniraju) kretanje elektrona i šupljina, zadržavajući ih u delu sa manjim energetskim procepom. Elektroni i šupljine se rekombinuju emitujući fotone. Ako je širina energetskog procepa sveden na red veličine de Broljeve talasne dužine, onda u ovoj strukturi igraju ulogu kvantni efekti. Spektar energija je diskretan umesto kontinualan (energetski nivoi su vrlo blizu jedan drugom, tako da se ipak može smatrati da su kvazi-kontinuirano raspoređeni). Ova struktura u ovakvoj formi je vrlo značajna i za eksperimentalna ispitivanja jer igra ulogu kvantne jame.