Т-РАМ

С Википедије, слободне енциклопедије

Тиристор РАМ (Т-РАМ) је нови (2009) тип ДРАМ рачунарске меморије развијен од фирме Т-РАМ Семикондактор, која одступа од класичног дизајна меморијских ћелија и комбинује добре особине ДРАМ и СРАМ меморија: велику густину и велику брзину. Ова технологија, која користи електричну особину познату као негативна отпорност и зове се танак капацитивно спрегнути тиристор[1], се користи за креирање меморијских ћелија способних за гушћа паковања. Због овога, меморија је веома скалабилна, и већ има неколико пута већу густину него што се може наћи у нормалним СРАМ меморијама са шест транзистора.

Претпоставља се да ће се ова технологија користити за АМД процесоре следеће генерације, који ће се производити у 32 и 22 нанометара[2] и који ће заменити претходно лиценцирану, али некоришћену З-РАМ технологију. Фирма Xandores CPCARM развија ову технологију.

Референце[уреди | уреди извор]

  1. ^ „Опис технологије”. Архивирано из оригинала 23. 05. 2009. г. Приступљено 29. 12. 2013. 
  2. ^ Business Wire: GlobalFoundries may use T-RAM in AMD next generation processors

Спољашње везе[уреди | уреди извор]